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磁芯单绕组测量电路
发布时间:
2023-08-23
脉冲磁化特性测量方法的基本原理类似,均通过测量磁芯测试绕组构成的非线性电感的两端电压和励磁电流,计算磁感应强度 B 和磁场强度H来绘制B-H曲线,表征磁芯的脉冲磁化特性。但在非线性电感两端的电压和励磁电流获取的绕组布局上,各测量电路并不完全相同。目前尚无磁芯脉冲磁化特性测量的相关标准,在铁基纳米晶交流磁化特性测量的相关标准中,推荐了两种测试方案:伏安相量法和计算机波形采样法,这两种方案均采用在磁芯上绕制双绕组的电路结构,测量流过初级绕组(励磁绕组)的励磁电流和次级绕组(测量绕组)两端的感应电压,获得其交流磁化特性。脉冲激励下磁芯动态磁化特性有别于稳态交流磁化特性,采用单绕组、双绕组测量磁芯的脉冲磁化特性均有报道。但对单绕组、双绕组测量方法获取的脉冲磁化特性差异和适用范围缺乏深入分析和系统比较,不利于指导脉冲磁元件的设计。本文基于恒定磁化速率下磁芯脉冲磁化特性的测量电路,结合磁化曲线的变化特点研究了典型恒磁化速率下脉冲磁化特性测量电路的基本工作过程,对比了不同绕组测量时的脉冲激励下铁基纳米晶初始磁化曲线,分析了现有测量方案的特点,讨论了不同场合下两种测量方案的适用情况及测量方案对饱和电感、伏秒积的影响。
磁芯单绕组测量电路
采用单绕组测量脉冲磁化特性的电路,C 为储能电容;L 为在待测磁芯上缠绕 N 匝线圈构成的非线性电感;S 为放电控制开关;R s 为谐振回路等效杂散电阻,包括导线电阻与磁芯损耗(铁耗)等效电阻,其数值大小与线路布置、等值频率等因素有关。每次测量前对磁芯施加交流去磁,由 H Q l=NI,其中 H Q 为去磁磁场强度;l 为磁芯的等效磁路长度;N 为去磁绕组的匝数;I 为去磁电流大小。当去磁磁场强度满足 H Q >(1~2)H c ,可有效去磁 [17] 。测量时,通过半波整流将电容 C 充电至 U 0 ,合上开关 S,令 C 对 L 1 放电。分别采用Tektronix高压探头P6015A和Pearson CT110A测量L 两端电压 u(t)和流过电流 i(t)。
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